功率管的最主要的應(yīng)用是控制電流的通斷，即在一定的電壓條件下對流經(jīng)器件的電流進行開關(guān)控制。首先，在可以承受的擊穿電壓的前提下（即器件的工作電壓平臺）， 器件導(dǎo)通電阻越低，其導(dǎo)通損耗就越低。其次，器件在開關(guān)狀態(tài)間切換時，柵極電荷越 小，器件的開關(guān)速度就越快，其動態(tài)損耗就越低。

圖：MOS管結(jié)構(gòu)

對于功率MOSFET來說，導(dǎo)通電阻與柵極電荷互為權(quán)衡（trade-off）關(guān)系，因為對于同一個器件結(jié)構(gòu)來說，可以通過并聯(lián)更多重復(fù)單元來降低導(dǎo)通電阻，但會導(dǎo)致柵極電荷相應(yīng)地增加；反之減少器件并聯(lián)的重復(fù)單元數(shù)，可以使得器件的柵極電荷變小，但其導(dǎo)通電阻會增大。因此，器件的導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積優(yōu)值（即品質(zhì)因數(shù)，F(xiàn)igure of Merit，“FOM”）可以最直觀地反映 MOSFET產(chǎn)品在同等電壓平臺下的綜合性能。

圖：MOS管外形

MOSFET產(chǎn)品的核心指標的比較基礎(chǔ)以及相互之間存在的制約關(guān)系如下： 

1）高壓MOSFET產(chǎn)品性能的關(guān)鍵指標之一是導(dǎo)通電阻Ron與柵極電荷Qg 的乘積優(yōu)值FOM。相同導(dǎo)通電阻下，柵極電荷越小則優(yōu)值越低，器件的動態(tài)損耗越小，整體性能越強。在電壓為限定條件時，功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積越小， 該器件性能更優(yōu)，技術(shù)更加先進。

2）高壓MOSFET產(chǎn)品性能的另外兩個關(guān)鍵指標是導(dǎo)通電阻Ron以及耐壓 BV。相同耐壓下，導(dǎo)通電阻越小，器件的導(dǎo)通損耗越小，器件性能越強。同時，導(dǎo)通電阻可以通過增大芯片面積來實現(xiàn)，所以該指標需在同一封裝類型下進行對比以便限定芯片的面積的上限。相同的封裝下導(dǎo)通電阻Ron 更小的產(chǎn)品才代表更先進的技術(shù)水平。

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