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電子百科
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激光二極管芯片結構是怎樣的?
  • 更新日期: 2024-11-19
  • 瀏覽次數: 1771
法布里-珀羅型LD是由n/p包層、夾在包層之間的有源層(發光層) 和2片鏡片端面構成。
激光二極管有哪些特點及用途?
  • 更新日期: 2024-11-19
  • 瀏覽次數: 1639
激光二極管充分利用直進性、微小光斑尺寸 (數um~)、單色性、高光密度、相干性 (coherent) 這些特點,被用在各種應用上面。
晶體管的主要功能
  • 更新日期: 2024-07-04
  • 瀏覽次數: 2049
晶體管的主要功能是放大和開關電信號。它在現代電子設備中起著至關重要的作用,例如在收音機中,晶體管能夠放大從空中傳輸過來的微弱信號,然后通過揚聲器播放出來,這就是晶體管的放大功能。
柵極-源極電壓產生的浪涌
  • 更新日期: 2024-05-10
  • 瀏覽次數: 2351
柵極-源極電壓產生的浪涌是指在功率半導體器件(如MOSFET和IGBT)工作時,由于電壓和電流的變化導致柵極和源極之間出現的意外、瞬時的電壓波動現象。這種現象通常會在開關操作時出現,特別是在高速開關過程中更為顯著。
LS MOSFET低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作
  • 更新日期: 2024-05-09
  • 瀏覽次數: 1995
LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導通時的做法一樣,為各事件進行了。與導通時相比,只是VDS和ID變化的順序發生了改變,其他基本動作是一樣的。與導通時的事件之間的對應關系:
SiC MOSFET低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作
  • 更新日期: 2024-05-08
  • 瀏覽次數: 1812
當SiC MOSFET的LS導通時,首先ID會發生變化。在這個過程中,LS的ID沿增加方向流動,而HS的ID沿減少方向流動,受到等效電路圖中表示的事件影響,產生了電動勢。這個電動勢會導致電流流向源極側對CGS進行充電,在LS處將VGS向下推,在HS處將VGS向負極側拉,產生負浪涌。
當SiC MOSFET橋式電路開關時產生的電流和電壓是怎樣的?
  • 更新日期: 2024-04-30
  • 瀏覽次數: 2073
dVDS/dt和dID/dt既可以為正也可以為負,因此它們產生的電流和電壓在導通(Turn-on)和關斷(Turn-off)時的極性是不同的。
SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路
  • 更新日期: 2024-04-29
  • 瀏覽次數: 2225
LS(低側)側SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off時的VDS和ID變化方式不同。在討論SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓(VGS)的影響時,需要考慮包括SiC MOSFET的柵極驅動電路在內的等效電路。
SiC MOSFET的橋式結構
  • 更新日期: 2024-04-28
  • 瀏覽次數: 2200
SiC MOSFET構建的同步式升壓電路中最簡單的橋式結構。
SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比,區別在哪?
  • 更新日期: 2024-04-24
  • 瀏覽次數: 2989
SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比,具有以下區別: 驅動電壓 由于SiC-MOSFET的漂移層電阻低、通道電阻高的特性,其驅動電壓即柵極-源極間電壓Vgs越高時,導通電阻越低。SiC-MOSFET的導通電阻從Vgs約為20V開始變化(下降)并逐漸減小,接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅動電壓為Vgs=10~15V,而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V左右驅動,以充分獲得低導通電阻。換句話說,兩者之間的區別之一是SiC-MOSFET的驅動電壓要比S
碳化硅MOS管(SiC-MOSFET)的特征
  • 更新日期: 2024-04-22
  • 瀏覽次數: 2264
相對于IGBT,SiC-MOSFET在開關關斷時降低了損耗,實現了高頻率工作,有助于應用的小型化。
SiC-SBD的特征是什么與Si二極管相比有什么不同
  • 更新日期: 2024-04-14
  • 瀏覽次數: 2479
SiC肖特基勢壘二極管為了形成肖特基勢壘,將半導體SiC與金屬相接合(肖特基結)。這種結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同,其重要特征是具備高速特性。

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