產(chǎn)品概述：

DTC114EE是由薩科微（Slkor）生產(chǎn)的 NPN 型數(shù)字晶體管，適用于多種應用場景。該晶體管具有高集電極擊穿電壓、適度的集電極電流和低功耗的特點。采用適用于表面貼裝的封裝，適用于各種電子設(shè)備。

關(guān)鍵特性：

晶體管類型： NPN - 面向負正負型晶體管的 NPN 型設(shè)計。

集射極擊穿電壓（Vceo）： 50V - 提供較高的集射極擊穿電壓。

集電極電流（Ic）： 100mA - 具有適度的集電極電流能力。

功率（Pd）： 150mW - 適用于低功耗電子設(shè)備。

集電極-發(fā)射極飽和電壓（VCE(sat)@Ic,Ib）： 0.3V @ 10mA,0.5mA- 低飽和電壓設(shè)計。

特征頻率（fT）： 250MHz - 適用于高頻應用。

應用領(lǐng)域：

數(shù)字邏輯電路

放大器和放大電路

電源管理系統(tǒng)

通信設(shè)備

LED 驅(qū)動器

性能優(yōu)勢：

較高的擊穿電壓： 50V 的擊穿電壓，適用于中到高壓應用。

適度的集電極電流能力： 100mA 的集電極電流，適用于多種應用場景。

低功耗： 150mW 的功率，適用于低功耗電子設(shè)備。

低飽和電壓設(shè)計： 0.3V 的飽和電壓，有助于降低功耗。

較高的特征頻率： 250MHz 的特征頻率，適用于高頻應用。

安裝與使用：

DTC114EE采用適用于表面貼裝的封裝。詳細的安裝和使用說明可參考產(chǎn)品手冊，確保[敏感詞]性能和穩(wěn)定性。

注意事項：

在使用DTC114EE時，請根據(jù)產(chǎn)品手冊提供的電氣特性和[敏感詞][敏感詞]額定值來選擇合適的工作條件，并確保正確連接和使用。

為了獲取更多技術(shù)支持和產(chǎn)品信息，請聯(lián)系薩科微（Slkor）客戶服務(wù)團隊。