近日，英特爾與中科院微電子所的專利訴訟糾紛，在歷經4年多的交鋒后終迎來[敏感詞]進展：英特爾表示，雙方已簽訂一項保密協(xié)議，解決所有未決訴訟，同時表示會獲得一些微電子所專利的許可，并對微電子所剩余專利組合達成一份長期的不起訴約定。

如“企業(yè)專利觀察”公眾號所述，至此，這場中、美芯片行業(yè)最重磅的一起專利糾紛案，以中科院微電子所專利最終被英特爾認可并獲得許可，而告一段落。

據悉，該項專利名為“半導體器件結構及其制作方法、及半導體鰭制作方法”的FinFET專利。本次專利訴訟糾紛的解決，意味著我國在世界集成電路[敏感詞]的芯片制造領域正在迎頭趕上，經得起全球科技巨頭的挑戰(zhàn)，面對不正當的手段已掌握了一定的話語權。

早在2018年，中科院微電子所就指控英特爾（中國）有限公司的酷睿（Core）系列處理器侵犯了其名為“半導體器件結構及其制作方法、及半導體鰭制作方法”的FinFET專利，要求英特爾賠償至少2億元，同時請求法院對“酷睿”產品實施禁售。

此后，針對中科院微電子所的這項FinFET專利，英特爾曾在中國、美國兩地至少試圖6次申請無效宣告請求。因為按照英特爾的計劃，如果能夠在各大市場中成功申請將中科院微電子所的專利無效化，就可以擺脫侵犯專利的嫌疑，自己非但不用賠償，還能夠繼續(xù)沿用這類技術進行盈利。

不過，每次申請無效都以英特爾失敗告終，由此可見，中科院微電子所在FinFET領域專利實力非常雄厚。

國外專利咨詢公司LexInnova也曾在2015年進行的FinFET領域專利調查研究中顯示，中科院微電子所專利申請數量在該領域排名第11位，也是中國大陸[敏感詞]進入前20位的企業(yè)，但是其專利質量卻能夠穩(wěn)壓英特爾等巨頭，成為世界[敏感詞]。

上個世紀末，半導體工藝進化之路曾一度面臨停滯，摩爾定律遭受威脅，直到一位華人教授胡正明帶領團隊發(fā)明出「FinFET晶體管技術」，使得摩爾定律延壽了數十年。

FinFET技術成功地推動了從22nm到5nm等數代半導體工藝的發(fā)展，成為全球主流晶圓廠的“不二”之選。中科院微電子所也曾自己對涉訴專利有過評價，其重要性程度不言而喻：

簡單來說，這個專利技術主要涉及半導體器件結構及其制造方法，包括半導體襯底、位于半導體襯底的鰭結構上方的柵極結構、位于柵極結構下方的鰭結構的溝道部分，以及設置在半導體襯底上方并且與溝道部分接觸的至少一個外延區(qū)等等。這一專利如今普遍應用于芯片行業(yè)，對于國內而言，也是開拓芯片市場的一大利器。

行業(yè)內最早實現FinFET商業(yè)化應用的是Intel公司，英特爾率先于2011年推出了商業(yè)化的FinFET工藝技術，將FinFET技術應用到了自家的22nm制程工藝上，顯著提高了性能并降低了功耗，之后臺積電，韓國的現代和三星等相繼在16納米到10納米的節(jié)點上推出了鰭式場效應晶體管產品，使得FinFET大放異彩。

中科院微電子前身為原中國科學院109廠，其所在FinFET的研發(fā)上位居國際前沿，且多數專家都有國際巨頭半導體企業(yè)的從業(yè)經歷。

FinFET與傳統(tǒng)平面FET的區(qū)別主要在“鰭”上，因此對“鰭”的后續(xù)改進，就成為各家爭奪的焦點，中科院微電子所正是在“鰭”的創(chuàng)新上投入了大量的基礎性研究，有超過一多半的專利都是圍繞“鰭”在研發(fā)，所研發(fā)的FinFET技術比較接近基本原理，有充足的潛力去支持前端開發(fā)，因此專利和科研成果之間的轉化也就相對容易。

公開信息顯示，微電子所專利數量和質量都非常可觀。截至目前，微電子所圍繞集成電路、高可靠器件與電路、物聯(lián)網等領域已經提交中國專利申請5000余件，國外專利申請500余件，轉讓專利158件，達成專利許可1505件。

這些都是英特爾都很難具備對抗的實力。

綜上所述，中科院微電子所占據的優(yōu)勢并不是經營規(guī)模多雄厚，資金實力多強大，而是在它擁有的業(yè)界知名專家，并且這些專家一直勤勤懇懇、兢兢業(yè)業(yè)，這其中不少人在面臨改革開放對我國芯片產業(yè)造成的沖擊時，也依然選擇堅持下來，仔細研究，如此才獲得高質量的專利產出，掌握了過硬的技術專利，才使得微電子所在應對英特爾時，一直處于優(yōu)勢。

中國芯片需要耐心、長期主義、需要腳踏實地，也希望我們國家能擁有更這樣的從業(yè)者！





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